Transcend TS512GMTE452T

· 512 GB · Inbyggt DRAM-skydd · 3 K P/E-cykler (program-/borttagningscykler) · Tillgänglig bredbandstemperaturmodell: garanterad driftsäkerhet i ett brett temperaturområde (från -40 ℃ till 85 ℃) · PCIe Gen 3 x 2-gränssnitt · Nyckelkomponenter förstärkta med Corner-Bond-process. PCI Express-specifikation 3.1 · Överensstämmer med NVM Express 1.3-specifikationen · Stöder NVM-kontroll · SLC-cacheteknik · LDPC ECC-funktionalitet (fel Transcend 2 har ett PCI Express (PCIe) Gen 3 x2-gränssnitt och är kompatibelt med NVM Express (NVMe) 1-specifikationer 3 för att uppnå exceptionella överföringshastigheter MTE452T har den senaste 3D NAND-tekniken som gör det möjligt att stapla 96 lager av 3D-NAND-flashchips vertikalt Jämfört med 64-lagers 3D NAND förbättrar denna densitetsökning avsevärt minneseffektiviteten