Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H SiC Sperrschicht FET Technologie: Der inverse Thyristor

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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie: Der inverse Thyristor

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Märke Springer
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  • 9783658501501

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