Die Grundlagen von dreischichtigen HOI-MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium-Heterostrukturen auf Isolator-Technologie

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Die Grundlagen von dreischichtigen HOI-MOSFETs im Nanobereich: Verspannte Silizium-Heterostrukturen auf Isolator-Technologie

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Märke Verlag Unser Wissen
EAN
  • 9786209842955

Verlag Unser Wissen

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